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Les matériaux semi-conducteurs sont divisés en fonction des liens d'application et peuvent être divisés en deux catégories : les matériaux de fabrication de plaquettes frontales et les matériaux d'emballage back-end. Les principaux matériaux de fabrication de plaquettes comprennent : les plaquettes de silicium, les gaz spéciaux électroniques, les photorésists et les réactifs de support, les produits chimiques électroniques humides, les matériaux de polissage, les cibles, les photomasques, etc. ; les principaux matériaux d'emballage comprennent : les grilles de connexion, les substrats d'emballage, les matériaux d'étanchéité en plastique, les matériaux céramiques, les fils de liaison, les matériaux de coupe, etc.   Proportion de divers matériaux :   Parmi les matériaux semi-conducteurs, les matériaux de fabrication représentent environ 63,1 % et les matériaux d'emballage 36,9 % ;   Parmi les matériaux de fabrication de plaquettes, les plaquettes de silicium représentent la proportion la plus élevée, soit 35 % ; le gaz électronique arrive en deuxième position, représentant 13 % ; les masques arrivent en troisième position, représentant 12 %, et les photorésists, 6 % ; la résine photosensible occupe la troisième place. Les matériaux de support représentent 8 % ; les produits chimiques électroniques humides représentent 7 % ; Les matériaux de polissage CMP représentent 6 % ; les matériaux cibles représentent 2%.   Parmi les matériaux d'emballage, les substrats d'emballage représentent la proportion la plus élevée, soit 48 % ; les grilles de connexion, les fils de liaison, les matériaux d'emballage, les substrats en céramique et les matériaux de liaison de puces représentent 15 %, 15 %, 10 %, 6 % et 3 %.

Les plaquettes de silicium sont omniprésentes dans nos vies. Puces de silicium sont largement utilisés dans les appareils informatiques tels que les ordinateurs personnels, les serveurs et les superordinateurs. Ils servent de cœur à l’unité centrale de traitement (CPU) et contrôlent le fonctionnement de l’ensemble du système informatique. L'intégration et les performances élevées des puces de silicium rendent les systèmes informatiques plus efficaces, stables et rapides. De plus, les puces de silicium sont également utilisées pour le stockage, le traitement graphique et le contrôle de divers périphériques d'entrée et de sortie. Le domaine des communications est également l’un des domaines dans lesquels les puces en silicium sont largement utilisées. Les appareils de communication modernes tels que les téléphones mobiles, les smartphones, les routeurs sans fil et les stations de base de communication ne peuvent se passer de puces en silicium. Les puces de silicium contrôlent des fonctions clés telles que la communication sans fil, le traitement du signal et la transmission de données dans ces appareils. Avec l’arrivée de l’ère 5G, les perspectives d’application des puces en silicium s’élargissent. Ils entreprendront davantage de tâches de calcul et de traitement, garantissant ainsi des systèmes de communication plus rapides et plus stables. Le domaine de l’électronique grand public constitue également un domaine d’application important pour les puces en silicium. Divers produits électroniques de la vie moderne, tels que les téléviseurs intelligents, les consoles de jeux, les appareils photo, les appareils de lecture audio, etc., nécessitent des puces de silicium pour remplir diverses fonctions. Les hautes performances et la faible consommation d'énergie des puces de silicium rendent ces appareils plus intelligents, portables et économes en énergie. De plus, avec l’essor de l’intelligence artificielle et de l’Internet des objets, l’application des puces de silicium dans le domaine de l’électronique grand public va encore se développer. L'application généralisée de plaquettes de silicium a apporté d’énormes changements dans nos vies.

Selon la classification des procédés de fabrication, plaquettes de silicium semi-conducteur peut être principalement divisé en tranches polies, tranches épitaxiales et matériaux à base de silicium haut de gamme représentés par les tranches de silicium SOI. Les lingots de silicium monocristallin sont traités par découpe, meulage et polissage pour obtenir des tranches polies. La tranche polie subit une croissance épitaxiale pour former une tranche épitaxiale, qui est ensuite traitée par des processus tels que l'oxydation, la liaison ou l'implantation ionique pour former une tranche de silicium SOI.Selon la classification des tailles, les dimensions des plaquettes de silicium semi-conductrices (calculées en diamètre) incluent principalement des spécifications telles que 125 mm (5 pouces), 150 mm (6 pouces), 200 mm (8 pouces) et 300 mm (12 pouces).Plus la taille de la plaquette de silicium est grande, plus il y a de puces sur une plaquette de silicium unique, ce qui peut améliorer l'efficacité de la production et réduire les coûts de production. Une plaquette de silicium de 300 mm représente 2,25 fois la surface d'une plaquette de silicium de 200 mm, et en termes de nombre de puces produites, 1,5 cm × En prenant une puce de 1,5 cm comme exemple, il y a 232 puces de silicium de 300 mm et 88 puces de silicium de 200 mm. Le nombre de puces de silicium de 300 mm est 2,64 fois supérieur à celui des puces de silicium de 200 mm.

Présentation du silicium à diffraction zéro - Redéfinir la précision dans la technologie XRDEntrez dans le monde de la diffraction des rayons X de pointe avec le silicium à diffraction zéro. Fabriquée avec une attention méticuleuse aux détails, cette plaquette de silicium révolutionnaire est conçue pour éliminer le moindre soupçon de diffraction, garantissant ainsi des résultats précis dans les expériences de diffraction des rayons X.Libérez tout le potentiel de votre système XRD avec le silicium zéro diffraction. Lorsque la lumière traverse cette remarquable plaquette, elle ne rencontre aucun obstacle, aucune distorsion et aucune interférence. Soyez témoin de diagrammes de diffraction cristallins, intacts par les limites des matériaux conventionnels.Conçu pour la perfection, le silicium zéro diffraction offre un niveau inégalé de pureté et d’uniformité. Chaque plaquette est parfaitement fabriquée selon les normes industrielles les plus élevées, garantissant la cohérence des performances et la précision des mesures. Dites adieu aux variations et à l’incertitude et profitez de la certitude de résultats fiables.Mais le silicium à diffraction zéro n'est pas seulement une question de précision inégalée ; il offre également une durabilité exceptionnelle. Résistante aux fluctuations de température, aux réactions chimiques et à l'usure physique, cette plaquette résiste aux conditions expérimentales les plus exigeantes sans compromettre ses performances phénoménales. Soyez assuré d'une qualité durable qui vous servira à travers d'innombrables expériences.Une intégration facile est une caractéristique de Silicium à diffraction zéro. Pour une configuration et un fonctionnement transparents, la plaquette est conçue pour s'adapter sans effort aux systèmes XRD standard, éliminant ainsi le besoin de modifications ou d'adaptations complexes. Cela signifie des temps d'arrêt minimaux et une productivité maximale, permettant aux chercheurs et aux scientifiques de se concentrer sur ce qui compte vraiment : repousser les limites de la découverte scientifique.Avec le silicium à diffraction zéro, un monde de possibilités vous attend. Libérez le potentiel de la diffraction des rayons X avec une précision et une fiabilité sans précédent. Qu'il s'agisse d'explorer de nouveaux matériaux, d'analyser des structures cristallines ou d'étudier des transformations de phase, faites confiance au silicium à diffraction zéro pour révolutionner vos expériences XRD.Découvrez l’avenir de la technologie XRD. Découvrez le silicium à diffraction zéro aujourd'hui et entrez dans une nouvelle ère de précision dans la recherche scientifique.

Plaquettes de carbure de silicium (SiC) sont généralement des monocristaux, mais ceux-ci plaquettes de SiC monocristallines peut être composé de différentes formes polycristallines, notamment 3C SiC, 4H SiC, 6H SiC, etc. Chaque forme polycristalline a ses propres propriétés uniques.Le 3C-SiC a une structure cubiqueLe 4H-SiC a une structure tétragonaleLe 6H-SiC a une double structure hexagonale Leurs différences dans le modèle d’arrangement atomique et le numéro de coordination. Le 3C-SiC possède la vitesse théorique des électrons la plus élevée, mais présente également les plus grandes traces de corrosion par impuretés. Le 4H-SiC et le 6H-SiC ont un meilleur coût.efficacité et fiabilité des équipements. Le 3C-SiC a une structure cristalline cubique, chaque atome de silicium étant entouré de quatre atomes de carbone et de quatre atomes de silicium adjacents. Cette structure possède la vitesse théorique des électrons la plus élevée, mais elle est également susceptible de impuretés, conduisant à des marques de corrosion d'impuretés. Le 4H-SiC et le 6H-SiC appartiennent tous deux au système cristallin hexagonal. Leurs arrangements atomiques sont différents, mais tous deux ont une meilleure rentabilité et une meilleure fiabilité des équipements car leur structure cristalline a une meilleure stabilité et des concentrations d'impuretés plus faibles, leur permettant de fonctionner à des températures élevées, à une puissance élevée et à des conditions de haute tension.