Plaquettes de carbure de silicium (SiC) sont généralement des monocristaux, mais ceux-ci plaquettes de SiC monocristallines peut être composé de différentes formes polycristallines, notamment 3C SiC, 4H SiC, 6H SiC, etc. Chaque forme polycristalline a ses propres propriétés uniques.

Le 3C-SiC a une structure cubique

Le 4H-SiC a une structure tétragonale

Le 6H-SiC a une double structure hexagonale

 

Leurs différences dans le modèle d’arrangement atomique et le numéro de coordination. Le 3C-SiC possède la vitesse théorique des électrons la plus élevée, mais présente également les plus grandes traces de corrosion par impuretés.

Le 4H-SiC et le 6H-SiC ont un meilleur coût.efficacité et fiabilité des équipements.

 

Le 3C-SiC a une structure cristalline cubique, chaque atome de silicium étant entouré de quatre atomes de carbone et de quatre atomes de silicium adjacents. Cette structure possède la vitesse théorique des électrons la plus élevée, mais elle est également susceptible de impuretés, conduisant à des marques de corrosion d'impuretés.

 

Le 4H-SiC et le 6H-SiC appartiennent tous deux au système cristallin hexagonal. Leurs arrangements atomiques sont différents, mais tous deux ont une meilleure rentabilité et une meilleure fiabilité des équipements car leur structure cristalline a une meilleure stabilité et des concentrations d'impuretés plus faibles, leur permettant de fonctionner à des températures élevées, à une puissance élevée et à des conditions de haute tension.