Nouvelles

Selon la classification des procédés de fabrication, les tranches de silicium semi-conducteur peuvent être principalement divisées en tranches polies, tranches épitaxiales et matériaux à base de silicium haut de gamme représentés par les...

En tant que matériau semi-conducteur de troisième génération, le carbure de silicium présente les caractéristiques d'une grande largeur de bande interdite, d'un champ électrique de claquage élevé, d'une vitesse de dérive des &eacu...