Plaquettes épitaxiales

Selon la classification des procédés de fabrication, plaquettes de silicium semi-conducteur peut être principalement divisé en tranches polies, tranches épitaxiales et matériaux à base de silicium haut de gamme représentés par les tranches de silicium SOI. Les lingots de silicium monocristallin sont traités par découpe, meulage et polissage pour obtenir des tranches polies. La tranche polie subit une croissance épitaxiale pour former une tranche épitaxiale, qui est ensuite traitée par des processus tels que l'oxydation, la liaison ou l'implantation ionique pour former une tranche de silicium SOI.Selon la classification des tailles, les dimensions des plaquettes de silicium semi-conductrices (calculées en diamètre) incluent principalement des spécifications telles que 125 mm (5 pouces), 150 mm (6 pouces), 200 mm (8 pouces) et 300 mm (12 pouces).Plus la taille de la plaquette de silicium est grande, plus il y a de puces sur une plaquette de silicium unique, ce qui peut améliorer l'efficacité de la production et réduire les coûts de production. Une plaquette de silicium de 300 mm représente 2,25 fois la surface d'une plaquette de silicium de 200 mm, et en termes de nombre de puces produites, 1,5 cm × En prenant une puce de 1,5 cm comme exemple, il y a 232 puces de silicium de 300 mm et 88 puces de silicium de 200 mm. Le nombre de puces de silicium de 300 mm est 2,64 fois supérieur à celui des puces de silicium de 200 mm.