Plaquette de silicium monocristallin

Plaquette de silicium FZ Méthode de croissance Float Zone, principalement dopante légère ou non dopante avec une résistivité élevée. La résistivité est principalement > 1000 Ohm.cm.Cependant, dans certains cas, le dopage des tiges de silicium fondant dans une zone peut également être obtenu par éclairage NTD et dopage au gaz GD pour obtenir une meilleure uniformité et une résistivité plus faible.Si vous avez besoin d'une spécification de substrat en silicium, vous pouvez nous contacter.

Plaquette de silicium monocristallin CzochralskiMéthode de croissance : CZ Le processus principal consiste à mettre du silicium polycristallin dans le creuset, à le chauffer pour le faire fondre, puis à serrer un germe de silicium monocristallin et à le suspendre au-dessus du creuset. Lorsque vous tirez droit, insérez une extrémité dans la fonte jusqu'à ce qu'elle fonde, puis tournez lentement et tirez vers le haut. De cette manière, un monocristal se formera par condensation progressive à l’interface entre liquide et solide. Étant donné que l’ensemble du processus peut être considéré comme un processus de réplication du germe cristallin, le cristal de silicium généré est du silicium monocristallin.La méthode Czochralski présente une teneur en carbone et en oxygène relativement élevée ainsi que de nombreuses impuretés et défauts, mais son coût est faible. Habituellement, la plaquette de silicium Cz dope le phosphore, le bore, le Sb, l'As.

Selon les méthodes de traitement, il peut être divisé en monocristal CZ Si, monocristal FZ Si et monocristal MCZ Si. Le monocristal de silicium à fusion de zone est principalement utilisé pour fabriquer des dispositifs électroniques de puissance et des transistors de haute puissance. Le monocristal de silicium magnétique est principalement utilisé pour fabriquer des dispositifs CCI. 90 % de la production est constituée de monocristaux de silicium Czochralski, utilisés pour fabriquer des circuits intégrés et d'autres composants discrets.Il peut être divisé en monocristal de silicium au niveau du circuit, en monocristal de silicium au niveau du détecteur, etc. selon son objectif.Nous pouvons fournir CZ, MCZ, FZ mlingot de silicium onocristallin.

La plaquette d'oxyde de silicium est une croissance thermique d'une couche d'oxyde uniforme sur la surface nue de la plaquette de silicium. Le processus d'oxydation comprend une oxydation sèche à haute température et une oxydation humide à haute température.

En déposant des films métalliques sur la surface des tranches de silicium, des composants tels que des fils d'électrodes et des transistors peuvent être préparés. Ces films métalliques ont une bonne conductivité et stabilité, ce qui peut garantir le fonctionnement normal du circuit. Généralement, les films métalliques sont l'or, le platine, l'aluminium, le cuivre, l'argent, etc.

Film Si3N4 sur plaquette de silicium par LPCVD.

La découpe de plaquettes de silicium est principalement utilisée dans les domaines des semi-conducteurs, de l'optoélectronique et de l'énergie solaire, et constitue l'un des processus importants pour la fabrication de puces et de composants optoélectroniques. 

Factice de 12 pouces appliqué pour les tests avant la production réelle.Également appliqué pour les équipements de test.Nous avons un grand stock de plaquettes de silicium de 12 pouces à un prix très bon marché.Bienvenue, envoyez-nous votre demande.

Il convient aux tests d'échantillons présentant de forts pics d'absorption dans de nombreuses plages et peut déduire l'influence du bruit de fond.Nous avons un stock de plaquettes de silicium à diffraction zéro. Bienvenue à nous contacter.

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Le processus d'épitaxie est en fait une technique de croissance de monocristaux en couche mince, qui implique la croissance d'une nouvelle couche de monocristal avec un certain type de conductivité, une certaine résistivité, une épaisseur et une structure de réseau cohérente avec des monocristaux en vrac dans la direction cristalline sur le substrat de monocristaux de silicium sous certaines conditions.