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Selon la classification des procédés de fabrication, les tranches de silicium semi-conducteur peuvent être principalement divisées en tranches polies, tranches épitaxiales et matériaux à base de silicium haut de gamme représentés par les tranches de silicium SOI. Les lingots de silicium monocristallin sont découpés, broyés et polis pour obtenir des plaquettes polies. La tranche polie subit une croissance épitaxiale pour former une tranche épitaxiale, et la tranche polie subit des processus tels qu'une oxydation, une liaison ou une implantation ionique pour former une tranche de silicium SOI.

Selon la classification des tailles, la taille des tranches de silicium semi-conducteur (calculée en diamètre) comprend principalement des spécifications telles que 125 mm (5 pouces), 150 mm (6 pouces), 200 mm (8 pouces) et 300 mm (12 pouces).

Lorsque la taille de la tranche de silicium augmente, le nombre de puces sur une seule tranche de silicium augmente, ce qui peut améliorer l'efficacité de la production et réduire les coûts de production. La superficie d’une plaquette de silicium de 300 mm est 2,25 fois supérieure à celle d’une plaquette de silicium de 200 mm. En termes de nombre de puces produites, en prenant comme exemple une puce de 1,5 cm × 1,5 cm, le nombre de puces de tranche de silicium de 300 mm est de 232 et le nombre de tranches de silicium de 200 mm est de 88. Une tranche de silicium de 300 mm est une tranche de silicium de 200 mm. 2,64 fois le nombre de jetons.