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En tant que matériau semi-conducteur de troisième génération, le carbure de silicium présente les caractéristiques d'une grande largeur de bande interdite, d'un champ électrique de claquage élevé, d'une vitesse de dérive des électrons à saturation élevée, d'une conductivité thermique élevée et d'une résistance élevée aux rayonnements par rapport aux matériaux en silicium. Il convient à la fabrication de produits à haute température, haute tension et haute fréquence. , appareils haute puissance. Actuellement, du photovoltaïque aux véhicules à énergie nouvelle, la demande du marché en aval pour le carbure de silicium est forte. Alors que la demande de véhicules électriques et de nouvelles énergies continue de croître, la demande de matériaux SiC affiche une tendance à la croissance fulgurante. Le carbure de silicium national passe de l’industrialisation à la commercialisation. Du point de vue de la chaîne industrielle, la chaîne industrielle du SiC est relativement longue et implique une série de maillons tels que le substrat, l'épitaxie, la conception des dispositifs, la fabrication des dispositifs, le conditionnement et les tests. Chaque maillon nécessite un grand professionnalisme, ainsi que des investissements de haute technologie et de capital.