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Matériau semi-conducteur de plaquette HC

Nous avons un stock suffisant et prenons également en charge la personnalisation.Quantité de commande flexible, si vous n'avez besoin que de quelques quantités, nous sommes votre meilleur choix.Stock suffisant avec un délai de livraison court, si vous avez un besoin urgent, nous sommes votre meilleur choix.Forte capacité de personnalisation, si votre commande avec des spécifications spéciales, nous sommes votre meilleur choix.

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Plaquette de silicium monocristallin

HC Wafer, un fournisseur de plaquettes de silicium, nous pouvons proposer des plaquettes de silicium FZ, plaquette CZ, Plaquette de test, plaquette factice, plaquette polie, plaquette de gravure.

Plaquette de carbure de silicium

Nous pouvons proposer un substrat sic de 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces, 6 pouces. Le carbure de silicium (SiC) est un nouveau matériau semi-conducteur composé offrant des performances supérieures. Les semi-conducteurs en carbure de silicium présentent d'excellentes caractéristiques telles qu'une grande largeur de bande interdite (environ 3 fois celle du silicium), une intensité de champ critique élevée (environ 10 fois celle du silicium) et une conductivité thermique élevée (environ 3 fois celle du silicium). Ce sont des matériaux semi-conducteurs idéaux pour fabriquer des dispositifs électroniques de puissance (puces de puissance) à haute température, haute fréquence et haute puissance.

Verre

Plaquettes Hc fournissant de la silice fondue, du quartz cristallin et un substrat saphir.

Plaquette de germanium

Les plaquettes Hc fournissent des plaquettes de germanium Ge. Taille : 2-6 pouces, d'autres tailles peuvent être personnalisées. Orientation des cristaux : 100/111, off 4°, 6°, 9°, etc. Type conducteur : type N, type P, haute résistivité non dopée.

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NOUVELLES

DERNIÈRES NOUVELLES

Sep 28,2023

Plaquette de silicium semi-conducteur

Selon la classification des procédés de fabrication, les tranches de silicium semi-conducteur peuvent être principalement divisées en tranches polies, tranches épitaxiales et matériaux à base de silicium haut de gamme représentés par les tranches de silicium SOI. Les lingots de silicium monocristallin sont découpés, broyés et polis pour obtenir des plaquettes polies. La tranche polie subit une croissance épitaxiale pour former une tranche épitaxiale, et la tranche polie subit des processus tels qu'une oxydation, une liaison ou une implantation ionique pour former une tranche de silicium SOI.   Selon la classification des tailles, la taille des tranches de silicium semi-conducteur (calculée en diamètre) comprend principalement des spécifications telles que 125 mm (5 pouces), 150 mm (6 pouces), 200 mm (8 pouces) et 300 mm (12 pouces).   Lorsque la taille de la tranche de silicium augmente, le nombre de puces sur une seule tranche de silicium augmente, ce qui peut améliorer l'efficacité de la production et réduire les coûts de production. La superficie d’une plaquette de silicium de 300 mm est 2,25 fois supérieure à celle d’une plaquette de silicium de 200 mm. En termes de nombre de puces produites, en prenant comme exemple une puce de 1,5 cm × 1,5 cm, le nombre de puces de tranche de silicium de 300 mm est de 232 et le nombre de tranches de silicium de 200 mm est de 88. Une tranche de silicium de 300 mm est une tranche de silicium de 200 mm. 2,64 fois le nombre de jetons. EN SAVOIR PLUS
FAQ

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